IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。那么对于IGBT开关时间的定义，你又了解多少？具体如下。
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电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容的符号是C。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10*6uF=10*12pF
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众所周知，硅晶圆是制造半导体器件和芯片的基本材料，而且在产业中扮演着举足轻重的地位，可以说硅是当今最重要、应用最广泛的半导体材料。
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光伏逆变器是光伏系统非常重要的一个设备，主要作用是把光伏组件发出来的直流电变成交流电，除此之外，逆变器还承担检测组件、电网、电缆运行状态，和外界通信交流，系统安全管家等重要功能。一款全新逆变器的产出需要两年多的时间，前期需要投入大量的人力和物力去研发和测试。
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逆变器的场效应管工作于开关状态，并且流过管子的电流很大，若管子选型不合适、驱动电压幅度不够大或电路的散热不好，皆可导致场效应管发热。
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变频器的过流故障可分为短路、轻载、重载、加速、减速、恒速过电流，分析变频器出现过流故障的原因应从两方面来考虑：一是外部原因；二是变频器本身的原因。
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