通常，额定电流超过1安培的半导体器件称为功率半导体。它们阻断电压范围从几伏一直到上万伏。在众多的功率半导体器件中，功率二极管是相对简单的一种器件，但它同时也是在电力电于电路中应用最为广泛的一种常用基础器件。它不仅应用于简单的整流电路，同时也常常用作续流二极管(简称FWD)，简单的单相半桥式逆变电路中，与可控的开关器件匹配，反并联使用，以继续维持感性负载上的电流，防止由于电流的突然跌落产生的电压尖峰。这种FWD的使用，在开关电源、变频电源、不间断电源、变频电机驱动等很多应用场合大量存在。
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IGBT单管：多种先进的IGBT技术平台：平面非穿通，沟槽非穿通，平面场截止，沟槽场截止；从经济和性能方面为用户提供灵活的选择方案。
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功率mos在电动车控制器的作用非常重要，简单来讲mos的输出电流就是用来驱动电机。电流输出越大（为了防止过流烧坏mos，控制器有做限流保护），电机扭矩就强，加速就有力（电机磁饱和前扭矩和相电流成正比）。
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功能陶瓷在IGBT中就是相当于在电子电路基板上的应用，作为功能陶瓷基板的材料有着优秀的绝缘性，接下来为大家介绍一下功能陶瓷在IGBT领域中的应用。
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串联谐振中频感应炉采用IGBT中频电源。IGBT中频电源是一种新型的IGBT逆变器模块，主要用来熔炼碳钢，合金钢，铸钢，有色金属。IGBT中频电源具有加热速度快，节能环保的特点。
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IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。在电子电路中，IGBT在电子电路中就相当于一个开关，是一个大功率大电流高耐压电压驱动的半导体器件。
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