MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍。

MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。

IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大，因此两者组合后即得到了MOS管的优点又获得了晶体三极管的优点。

综上所述的两种晶体管，是目前电子设备使用频率很高的电子元器件，两者在外形及静态参数极其相似，某些电子产品是存在技术垄断， 在电路中有时它们的型号是被擦掉的，截止目前，它们在命名标准及型号又没有统一标准，而外型及管脚的排列相似，根本无规律可循，成为维修过程中的拦路虎，如何区分和判断成为必要手段。

带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管的识别带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管它们的栅极位置一样，IGBT管的C极位置跟MODS管的D极位置相对应，IGBT管的e极位置跟MODS管的S极位置相对应，对它们的好坏判断及及区分可以用动静态测量方法来完成，具体如下。

一、静态测量判断MOS管和IGBT管的好坏

先将两个管子的管脚短路放掉静电，MOS管的D极与S极之间有个PN接，正向导通反向截止，于是有Rgd=Rgs=Rds=无穷大，Rsd=几千欧。IGBT管的G极到c、e极的电阻应为无穷大，即Rgc=Rge=无穷大，而IGBT管的之间有阻尼二极管的存在，因此具有单向导电反向截止特性，即Rce=无穷大，Rec=几千欧。从这里只能用万用表的电阻档判断出管子的好坏，却区分不出是那种管子。测量的阻值很小，则说明管子被击穿，测量阻值很大，说明管子内部断路。

二、动态测量区分MOS管和IGBT管

先用万用表给管子的栅极施加电压，使场效应管建立起沟道，然后测量D、S及c、e之间的阻值，根据阻值的差异来区分MOS管和IGBT管。

用万用表的电阻档测量两个管子的D、S及c、e之间的电阻，由于场效应管已经建立沟道，Rds=Rsd≈0，而Rce之间呈现电阻Rce，晶体三极管处于放大状态的导通电阻，Rec为内部阻尼二极管的导通电阻，两者均为几千欧。因此根据测量可知，两个管子的导通程度不一样，MOS管的D、S之间电阻值是远小于IGBT管c、e之间的电阻值，于是可以分辨出MOS与IGBT管。

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